متاح للاستيراد
الشركة المصنعة:
ش.م مصنع إسكرا
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Input voltage
1.8 V
Output residual voltage
0.3 V
Output leakage current
1.0E-5 A
Insulation resistance
1000000000000 ohm
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
وحدة IGBT عالية القدرة AnM150HBEВ12M
عرض التفاصيلترانزستور ميكروويف قوي على أساس نيتريد الغاليوم PP9138B
عرض التفاصيلوحدة الطاقة AnDM200EA12M - التحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيلوحدة IGBT القوية AnM450HBE12M للتحكم الفعال في الطاقة
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاناري ك ت6131أ
عرض التفاصيلترانزستور ميكروويف قوي من نيتريد الغاليوم طراز PP9137A
عرض التفاصيلترانزستور سيليكون 2T117V OSH للأجهزة الإلكترونية
عرض التفاصيلترانزستورات NPN القوية للاستخدام الخاص 2T908A-2
عرض التفاصيلترانزستور تحكم قوي عالى الجهد ن-ب-ن سيليكون KT8121B2
عرض التفاصيلترانزستور حقل عالي الجهد قوي KP829B
عرض التفاصيلترانزستور MOSFET N-قناة An10N70S10
عرض التفاصيلترانزستور سيليكوني إبيتاكسيال-بلاني N-P-N 2T368A/PK
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية