متاح للاستيرادترانزستورات نبضية عالية التردد للتطبيقات الخاصة 2T603B/IU
الشركة المصنعة:ش.م مصنع إسكرا
السعر:طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Collector reverse current
3.0E-6 A
Emitter reverse current
3.0E-6 A
Collector junction capacitance
1.5E-11
Emitter junction capacitance
4.0E-11
Time constant of the feedback circuit at high frequency
400
Static current transfer coefficient
Not less than 60, not more than 180
Collector-emitter saturation voltage
0.8 V
Base - emitter saturation voltage
1.5 V
Resorption time
70
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة) الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستور NPN قوي 2T867A للتطبيقات الخاصة
عرض التفاصيلترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829B9
عرض التفاصيلترانزستورات وقنوات DMOS عالية الجهد 2P829I9
عرض التفاصيلأوبتوكوبلر ترانزستوري AOT110B مع دبابيس مطلية بالذهب محليًا
عرض التفاصيلترانزستورات تأثير المجال الخاصة عالية القدرة 2P7152A
عرض التفاصيلترانزستور ميكروويف قوي من نيتريد الغاليوم PP9139A1
عرض التفاصيلترانزستورات DMOP القوية من نوع N 2P7246A91
عرض التفاصيلترانزستورات وقنوات السيليكون عالية الجهد 2P829J
عرض التفاصيلترانزستور ميكروويف قوي من نيتريد الغاليوم PP9138A
عرض التفاصيلوحدة IGBT القوية AnM600SSC12M
عرض التفاصيلترانزستورات DMOS عالية القدرة 2P7242A-4
عرض التفاصيلوحدة IGBT للطاقة AnM75LCA12M
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية