متاح للاستيراد
ترانزستور حقل N-قناة مدمج 2P526A9 لتطبيقات إلكترونية فعالة
الشركة المصنعة:
ش.م مجموعة كريمني إل
السعر:
طلب عرض سعر
أسعار الجملة متاحة
شروط FOB و CIF و EXW متاحة
الوصف
هذا high-power transistors مصنوع في روسيا ومتاح للاستيراد إلى الأسواق العالمية. المنتجات الروسية معروفة بمتانتها وموثوقيتها ونسبة السعر إلى الأداء الممتازة.
للحصول على مواصفات المنتج التفصيلية، يرجى الاطلاع على علامة تبويب المواصفات. اتصل بفريقنا لطلب معلومات الأسعار والتوافر والشحن.
المواصفات
Operating temperature
-60 to +125 °C
Maximum power dissipation
0.625 W
Maximum allowable drain-to-source voltage
30 V
Maximum allowable drain current
1.2 A
Threshold voltage
0.7 V
شارك متطلباتك للحصول على رد سريع!
رد فوري خلال 15 دقيقة
أفضل أسعار الجملة مضمونة
مباشرة من الشركة المصنعة
التسليم والدفع
شروط الشحن
وقت التسليم
الشحن البحري: 30-60 يوم (حسب الوجهة)
الشحن الجوي: 14-21 يوم (للطلبات العاجلة)
طرق الدفع
منتجات مماثلة قد تهمك
ترانزستورات وقنوات سيليكون ذات جهد عالي 2P829G
عرض التفاصيل
ترانزستور ميداني عالي الطاقة وعالي الجهد KP829Zh
عرض التفاصيل
ترانزستورات ثنائية القطب عالية الجهد 2T8143F1
عرض التفاصيل
ترانزستور قوي كريستالي Epitaxial-Planar n-p-n KT879A
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون إبيتاكسيال-بلاناري ك ت6131أ
عرض التفاصيل
ترانزستور ميكروويف قوي يعتمد على نيتريد الغاليوم PP9139B1
عرض التفاصيل
ترانزستورات NPN قوية للتبديل لأغراض خاصة 2T856G
عرض التفاصيل
ترانزستور سيليكون NPN عالي الجهد KT8155G
عرض التفاصيل
وحدة IGBT عالية القدرة AnM150HBEВ12M
عرض التفاصيل
الترانزستورات والموديلات القوية من نوع DMOS عالية الجهد 2P829A
عرض التفاصيل
ترانزستور DMOП P-القناة AnP53P03
عرض التفاصيل
ترانزستور LDMOS الميكروي للعمل النبضي 2P9116B 1030-1090 ميغاهرتز
عرض التفاصيلموردون موثوقون
جميع المنتجات يتم الحصول عليها مباشرة من المصنعين الروس المعتمدين
ضمان الجودة
المنتجات تلبي معايير الجودة الدولية مع الشهادات المناسبة
الشحن العالمي
حلول لوجستية موثوقة لتوصيل المنتجات إلى موقعك
مدفوعات آمنة
خيارات دفع آمنة متعددة لتسهيل المعاملات الدولية